SK海力士:竞速打造更大、更快的存储产能

  美光科技计划投入500亿美元,在美国爱达荷州博伊西市兴建两座大型全新存储晶圆厂,首座工厂预计2027年正式投产晶圆制造业务。与此同时 ,美光还将在纽约州克莱市打造总投资1000亿美元的产业园区,园区内最多可布局四座晶圆厂。

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  SK海力士也正在筹建自身首座美国工厂,项目预计2028年完工 。这座坐落于印第安纳州西拉斐特 、耗资40亿美元的厂区主攻芯片封测环节 ,主要负责存储芯片堆叠、线路封装作业,并不开展晶圆前端制造工序。

  除印第安纳州新项目外,SK海力士在美国早已布局业务。2020年 ,SK海力士斥资90亿美元收购英特尔NAND闪存业务,并最终组建子公司Solidigm,总部设于加利福尼亚州萨克拉门托近郊 。今年1月 ,SK海力士对该板块完成业务重组,在美国斥资100亿美元成立一家专注AI业务的子公司,但暂未规划任何晶圆前端制造项目。

  谈及赴美兴建芯片工厂的规划 ,崔泰源表示 ,SK海力士已耗时一个多月调研潜在建厂选址。

  “我有意推进赴美建厂,但关键是必须找到合适的选址 。”他说道。

  崔泰源还表示,存储行业正迎来发展转折点:面向客户定制化HBM的下一代技术迭代落地 ,将有效对冲SK海力士巨额扩产投入潜藏的经营风险。

  如今定制化HBM需要和AI处理器协同设计研发,伴随新一代HBM5技术落地,这一行业趋势还在持续提速 。

  “英伟达想要专属定制芯片 ,谷歌也需要量身打造的HBM产品,存储芯片早已不再是标准化大宗商品。”崔泰源称,“这从根本上改变了存储芯片的行业属性与市场定位。 ”

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